מספר מוצר של יצרן:
IPB12CN10N G
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPB12CN10N G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 67A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 67A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
מלאי:
12799880
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPB12CN10N G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
67A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
12.6mOhm @ 67A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 83µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
65 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4320 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
125W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO263-3
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IPB12C
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP000096450
IPB12CN10NG
IPB12CN10N G-DG
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
PSMN017-80BS,118
יצרן
Nexperia USA Inc.
כמות זמינה
2313
DiGi מספר חלק
PSMN017-80BS,118-DG
מחיר ליחידה
0.56
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
PSMN012-80BS,118
יצרן
Nexperia USA Inc.
כמות זמינה
5050
DiGi מספר חלק
PSMN012-80BS,118-DG
מחיר ליחידה
0.67
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
BUK9616-75B,118
יצרן
Nexperia USA Inc.
כמות זמינה
6355
DiGi מספר חלק
BUK9616-75B,118-DG
מחיר ליחידה
0.65
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BSO033N03MSGXUMA1
MOSFET N-CH 30V 17A 8DSO
IPD26N06S2L35ATMA1
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
BSZ0994NSATMA1
MOSFET N-CH 30V 13A 8TSDSON-25
